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                          MMBT5551MMBT5551LT1GMMBTA06区别

                          更新时间:2022-11-15 00:51:40
                          MMBT5551
                          MMBT5551
                          飞兆/仙童
                          VS
                          MMBT5551LT1G
                          MMBT5551LT1G
                          安森美
                          VS
                          MMBTA06
                          MMBTA06
                          飞兆/仙童
                          • 型号
                            MMBT5551
                            MMBT5551LT1G
                            MMBTA06
                          • 描述
                            FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? MMBT5551? 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
                            MMBT5551 更多代替型号
                            ON SEMICONDUCTOR? MMBT5551LT1G? 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE
                            MMBT5551LT1G 更多代替型号
                            FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? MMBTA06? 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
                            MMBTA06 更多代替型号
                          • 数据手册
                            查看PDF文件
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                          • 制造商
                            Fairchild (飞兆/仙童)
                            ON Semiconductor (安森美)
                            Fairchild (飞兆/仙童)
                          • 分类
                            双极性晶体管
                            双极性晶体管
                            双极性晶体管
                          • 封装参数

                          • 安装方式
                            Surface Mount
                            Surface Mount
                            Surface Mount
                          • 引脚数
                            3
                            3
                            3
                          • 封装
                            SOT-23-3
                            SOT-23-3
                            SOT-23-3
                          • 技术参数

                          • 额定电压(DC)
                            160 V
                            160 V
                            80.0 V
                          • 额定电流
                            600 mA
                            600 mA
                            500 mA
                          • 额定功率
                            -
                            0.225 W
                            350 mW
                          • 针脚数
                            3
                            3
                            3
                          • 极性
                            NPN
                            NPN
                            NPN
                          • 耗散功率
                            350 mW
                            225 mW
                            350 mW
                          • 击穿电压(集电极-发射极)
                            160 V
                            160 V
                            80 V
                          • 集电极最大允许电流
                            -
                            0.6A
                            -
                          • 最小电流放大倍数(hFE)
                            80 @10mA, 5V
                            80 @10mA, 5V
                            100 @100mA, 1V
                          • 最大电流放大倍数(hFE)
                            -
                            250
                            -
                          • 额定功率(Max)
                            350 mW
                            225 mW
                            350 mW
                          • 直流电流增益(hFE)
                            250
                            80
                            100
                          • 工作温度(Max)
                            150 ℃
                            150 ℃
                            150 ℃
                          • 工作温度(Min)
                            -55 ℃
                            -55 ℃
                            -55 ℃
                          • 耗散功率(Max)
                            350 mW
                            300 mW
                            0.35 W
                          • 频率
                            300 MHz
                            -
                            100 MHz
                          • 集电极击穿电压
                            -
                            -
                            80.0 V
                          • 外形尺寸

                          • 长度
                            2.92 mm
                            2.9 mm
                            2.92 mm
                          • 宽度
                            1.3 mm
                            1.3 mm
                            1.3 mm
                          • 高度
                            0.93 mm
                            0.94 mm
                            0.93 mm
                          • 封装
                            SOT-23-3
                            SOT-23-3
                            SOT-23-3
                          • 物理参数

                          • 材质
                            -
                            Silicon
                            -
                          • 工作温度
                            -55℃ ~ 150℃ (TJ)
                            -55℃ ~ 150℃ (TJ)
                            -55℃ ~ 150℃ (TJ)
                          • 其他

                          • 产品生命周期
                            Active
                            Active
                            Active
                          • 包装方式
                            Tape & Reel (TR)
                            Tape & Reel (TR)
                            Tape & Reel (TR)
                          • 符合标准

                          • RoHS标准
                            RoHS Compliant
                            RoHS Compliant
                            RoHS Compliant
                          • 含铅标准
                            Lead Free
                            Lead Free
                            Lead Free
                          • REACH SVHC标准
                            No SVHC
                            No SVHC
                            No SVHC
                          • REACH SVHC版本
                            2015/06/15
                            2015/12/17
                            2015/06/15
                          • 海关信息

                          • ECCN代码
                            EAR99
                            EAR99
                            EAR99
                          • HTS代码
                            8541210075
                            -
                            -
                          • 参考价格(
                            $ 0.025 全部价格 (14家)
                            $ 0.013 全部价格 (17家)
                            $ 0.049 全部价格 (15家)
                          • 总库存量(pcs)
                            530k
                            4368.1k
                            0
                          • 概述

                            MMBT5551 产品概述

                            集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 180V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 160V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100Mhz~300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 30~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV~250mV 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| ? This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers. ? Suffix “-C” means Center Collector in 2N5551 (1. Emitter 2. Collector 3. Base) ? Suffix “-Y” means hFE 180~240 in 2N5551 (Test condition : IC = 10mA, VCE = 5.0V) 描述与应用| 这个装置是专为通用高电压放大器和气体放电显示驱动程序。 ?后缀“-C”指中心集电极2N5551(1集电极发射23。基地) ?后缀“-Y”表示HFE180?2402N5551(测试条件:IC=10mA时,VCE= 5.0V)

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                            MMBT5551LT1G 产品概述

                            小信号 NPN 晶体管ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

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                            MMBTA06 产品概述

                            The MMBTA06 is an NPN General-purpose Amplifier designed for general-purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA.

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                          • 更多代替型号
                            MMBT5551 更多代替型号
                            MMBT5551LT1G 更多代替型号
                            MMBTA06 更多代替型号

                          MMBT5551 代替型号

                          器件图
                          型号
                          制造商
                          品名
                          代替类型
                          描述
                          PDF
                          对比
                          MMBTA06
                          MMBTA06
                          飞兆/仙童
                          双极性晶体管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? MMBTA06? 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
                          MMBT5551和MMBTA06区别
                          KST5551MTF
                          KST5551MTF
                          飞兆/仙童
                          双极性晶体管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
                          MMBT5551和KST5551MTF区别
                          MMBT5551LT1G
                          MMBT5551LT1G
                          安森美
                          双极性晶体管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          ON SEMICONDUCTOR? MMBT5551LT1G? 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE
                          MMBT5551和MMBT5551LT1G区别
                          MMBT5551-7-F
                          MMBT5551-7-F
                          美台
                          双极性晶体管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          三极管
                          MMBT5551和MMBT5551-7-F区别
                          MMBT5551LT3G
                          MMBT5551LT3G
                          安森美
                          双极性晶体管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
                          MMBT5551和MMBT5551LT3G区别
                          MMBT5551-TP
                          MMBT5551-TP
                          美微科
                          双极性晶体管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          MICRO COMMERCIAL COMPONENTS? MMBT5551-TP? 双极性晶体管, NPN, 160VDC, SOT-23
                          MMBT5551和MMBT5551-TP区别
                          MMBT5551
                          MMBT5551
                          安森美
                          双极性晶体管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          高电压晶体管 High Voltage Transistors
                          MMBT5551和MMBT5551区别
                          PMBT5551,215
                          PMBT5551,215
                          安世
                          双极性晶体管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          小信号 NPN 晶体管,Nexperia ### 双极晶体管,Nexperia
                          MMBT5551和PMBT5551,215区别

                          MMBT5551和MMBT5551LT1G,MMBTA06的区别:MMBT5551 SOT-23 NPN 160V 600mA 0.35(W);MMBT5551LT1G SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW,MMBTA06 SOT-23 NPN 80V 500mA 350mW。MMBT5551和MMBT5551LT1G;MMBTA06哪个好:MMBT5551 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? MMBT5551? 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE;MMBT5551LT1G ON SEMICONDUCTOR? MMBT5551LT1G? 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE;MMBTA06 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? MMBTA06? 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE。MMBT5551和MMBT5551LT1G,MMBTA06对比:MMBT5551 封装:SOT-23-3,引脚:3,频率:300 MHz,功耗:350 mW,针脚数:3,额定电压:160 V,极性:NPN,最小电流放大倍数:80 @10mA, 5V,hts代码:8541210075,击穿电压:160 V,eccn代码:EAR99,额定电流:600 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),长度:2.92 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.93 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,reach svhc版本:2015/06/15,额定功率:350 mW,工业级:Yes,工作温度:150 ℃,耗散功率:350 mW,晶体管极性:NPN,直流电流增益:250,工作温度:-55 ℃;MMBT5551LT1G 封装:SOT-23-3,引脚:3,额定功率:0.225 W,功耗:225 mW,针脚数:3,额定电压:160 V,极性:NPN,eccn代码:EAR99,集电极最大允许电流:0.6A,最大电流放大倍数:250,击穿电压:160 V,最小电流放大倍数:80 @10mA, 5V,额定电流:600 mA,材质:Silicon,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),长度:2.9 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.94 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,耗散功率:300 mW,晶体管极性:NPN,直流电流增益:80,工业级:Yes,工作温度:-55 ℃,reach svhc版本:2015/12/17,额定功率:225 mW,汽车级:Yes,工作温度:150 ℃;MMBTA06 封装:SOT-23-3,引脚:3,频率:100 MHz,额定功率:350 mW,功耗:350 mW,针脚数:3,额定电压:80.0 V,极性:NPN,最小电流放大倍数:100 @100mA, 1V,击穿电压:80 V,eccn代码:EAR99,额定电流:500 mA,集电极击穿电压:80.0 V,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),长度:2.92 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.93 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:-55 ℃,reach svhc版本:2015/06/15,额定功率:350 mW,工作温度:150 ℃,耗散功率:0.35 W,晶体管极性:NPN,直流电流增益:100。

                          型号对应页索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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