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                          MJE350GMJE350STUMJE350区别

                          更新时间:2022-11-13 23:36:46
                          MJE350G
                          MJE350G
                          安森美
                          VS
                          MJE350STU
                          MJE350STU
                          飞兆/仙童
                          VS
                          MJE350
                          MJE350
                          意法半导体
                          • 型号
                            MJE350G
                            MJE350STU
                            MJE350
                          • 描述
                            ON SEMICONDUCTOR? MJE350G? 单晶体管 双极, 通用, PNP, 300 V, 20 W, 500 mA, 240 hFE
                            MJE350G 更多代替型号
                            FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? MJE350STU? 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE
                            MJE350STU 更多代替型号
                            STMICROELECTRONICS? MJE350? 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE
                            MJE350 更多代替型号
                          • 数据手册
                            查看PDF文件
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                          • 制造商
                            ON Semiconductor (安森美)
                            Fairchild (飞兆/仙童)
                            ST Microelectronics (意法半导体)
                          • 分类
                            双极性晶体管
                            双极性晶体管
                            双极性晶体管
                          • 封装参数

                          • 安装方式
                            Through Hole
                            Through Hole
                            Through Hole
                          • 引脚数
                            3
                            3
                            3
                          • 封装
                            TO-126-3
                            TO-126-3
                            TO-126-3
                          • 技术参数

                          • 额定电压(DC)
                            -300 V
                            -300 V
                            -300 V
                          • 额定电流
                            -500 mA
                            -500 mA
                            -500 mA
                          • 针脚数
                            3
                            3
                            3
                          • 极性
                            PNP, P-Channel
                            NPN
                            PNP, P-Channel
                          • 耗散功率
                            20 W
                            20 W
                            20.8 W
                          • 击穿电压(集电极-发射极)
                            300 V
                            300 V
                            300 V
                          • 热阻
                            6.25℃/W (RθJC)
                            -
                            -
                          • 集电极最大允许电流
                            0.5A
                            0.5A
                            -
                          • 最小电流放大倍数(hFE)
                            30
                            30 @50mA, 10V
                            30 @50mA, 10V
                          • 额定功率(Max)
                            20 W
                            20 W
                            20.8 W
                          • 直流电流增益(hFE)
                            240
                            30
                            240
                          • 工作温度(Max)
                            150 ℃
                            150 ℃
                            150 ℃
                          • 工作温度(Min)
                            -65 ℃
                            -65 ℃
                            -65 ℃
                          • 耗散功率(Max)
                            20000 mW
                            20000 mW
                            2800 mW
                          • 最大电流放大倍数(hFE)
                            -
                            240
                            -
                          • 外形尺寸

                          • 长度
                            7.74 mm
                            8 mm
                            7.8 mm
                          • 宽度
                            2.66 mm
                            3.25 mm
                            2.7 mm
                          • 高度
                            11.04 mm
                            11 mm
                            10.8 mm
                          • 封装
                            TO-126-3
                            TO-126-3
                            TO-126-3
                          • 物理参数

                          • 材质
                            Silicon
                            Silicon
                            Silicon
                          • 工作温度
                            -65℃ ~ 150℃
                            150℃ (TJ)
                            150℃ (TJ)
                          • 其他

                          • 产品生命周期
                            Active
                            Active
                            Active
                          • 包装方式
                            Bulk
                            Tube
                            Tube
                          • 符合标准

                          • RoHS标准
                            RoHS Compliant
                            RoHS Compliant
                            RoHS Compliant
                          • 含铅标准
                            Lead Free
                            Lead Free
                            Lead Free
                          • REACH SVHC标准
                            No SVHC
                            No SVHC
                            No SVHC
                          • REACH SVHC版本
                            -
                            2015/06/15
                            2015/12/17
                          • 海关信息

                          • ECCN代码
                            EAR99
                            EAR99
                            -
                          • 参考价格(
                            $ 0.271 全部价格 (16家)
                            $ 0.143 全部价格 (14家)
                            $ 0.309 全部价格 (15家)
                          • 总库存量(pcs)
                            2.5k
                            1306.7k
                            10.1k
                          • 概述

                            MJE350G 产品概述

                            高电压晶体管ON Semiconductor ### 标准 带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

                            查看全部

                            MJE350STU 产品概述

                            The MJE350STU is a PNP Epitaxial Silicon Transistor offers 300V collector base voltage and 500mA collector current. It is suitable for transformer and high voltage general purpose applications.

                            .
                            High collector-emitter breakdown voltage
                            .
                            Complement to MJE340

                            查看全部

                            MJE350 产品概述

                            高电压晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

                            查看全部
                          • 更多代替型号
                            MJE350G 更多代替型号
                            MJE350STU 更多代替型号
                            MJE350 更多代替型号

                          MJE350G 代替型号

                          器件图
                          型号
                          制造商
                          品名
                          代替类型
                          描述
                          PDF
                          对比
                          MJE350STU
                          MJE350STU
                          安森美
                          双极性晶体管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          ON Semiconductor MJE350STU , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 TO-126封装
                          MJE350G和MJE350STU区别
                          KSE350STU
                          KSE350STU
                          安森美
                          双极性晶体管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          PNP 20 W 300 V 0.5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
                          MJE350G和KSE350STU区别
                          MJE350
                          MJE350
                          安森美
                          双极性晶体管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTOR PNP SILICON
                          MJE350G和MJE350区别
                          MJE350
                          MJE350
                          意法半导体
                          双极性晶体管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          STMICROELECTRONICS? MJE350? 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE
                          MJE350G和MJE350区别
                          MJE350STU
                          MJE350STU
                          飞兆/仙童
                          双极性晶体管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? MJE350STU? 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE
                          MJE350G和MJE350STU区别
                          KSE350S
                          KSE350S
                          飞兆/仙童
                          双极性晶体管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          高电压通用应用 High Voltage General Purpose Applications
                          MJE350G和KSE350S区别
                          MJE350
                          MJE350
                          Multicomp
                          双极性晶体管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          MULTICOMP? MJE350? 单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE
                          MJE350G和MJE350区别
                          MJE350
                          MJE350
                          Central Semiconductor
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3Pin TO-126
                          MJE350G和MJE350区别
                          MJE350
                          MJE350
                          Continental Device
                          晶体管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          20W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 0.5A Ic, 30 - 240 hFE. Complementary MJE340厨房玩朋友娇妻HD完整版视频-日本xx-深度电影1完整视频-人妻无码中文字幕