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                          IRF3205ZPBFSTP80NF55L-06STP80NF55-06FP区别

                          更新时间:2022-11-14 06:29:39
                          IRF3205ZPBF
                          IRF3205ZPBF
                          英飞凌
                          VS
                          STP80NF55L-06
                          STP80NF55L-06
                          意法半导体
                          VS
                          STP80NF55-06FP
                          STP80NF55-06FP
                          意法半导体
                          • 型号
                            IRF3205ZPBF
                            STP80NF55L-06
                            STP80NF55-06FP
                          • 描述
                            INFINEON? IRF3205ZPBF? 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V
                            IRF3205ZPBF 更多代替型号
                            STMICROELECTRONICS? STP80NF55L-06? 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
                            STP80NF55L-06 更多代替型号
                            STMICROELECTRONICS? STP80NF55-06FP? 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
                            STP80NF55-06FP 更多代替型号
                          • 数据手册
                            查看PDF文件
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                            查看PDF文件
                          • 制造商
                            Infineon (英飞凌)
                            ST Microelectronics (意法半导体)
                            ST Microelectronics (意法半导体)
                          • 分类
                            MOS管
                            MOS管
                            MOS管
                          • 封装参数

                          • 安装方式
                            Through Hole
                            Through Hole
                            Through Hole
                          • 引脚数
                            3
                            3
                            3
                          • 封装
                            TO-220-3
                            TO-220-3
                            TO-220-3
                          • 技术参数

                          • 额定电压(DC)
                            -
                            55.0 V
                            -
                          • 额定电流
                            -
                            80.0 A
                            -
                          • 针脚数
                            3
                            3
                            3
                          • 漏源极电阻
                            0.0065 Ω
                            0.008 Ω
                            0.005 Ω
                          • 极性
                            N-Channel
                            N-Channel
                            N-Channel
                          • 耗散功率
                            170 W
                            300 W
                            45 W
                          • 阈值电压
                            4 V
                            3 V
                            3 V
                          • 漏源极电压(Vds)
                            55 V
                            55 V
                            55 V
                          • 漏源击穿电压
                            55 V
                            55.0 V
                            -
                          • 栅源击穿电压
                            -
                            ±16.0 V
                            -
                          • 连续漏极电流(Ids)
                            110A
                            80.0 A
                            60.0 A
                          • 上升时间
                            95 ns
                            180 ns
                            155 ns
                          • 输入电容(Ciss)
                            3450pF @25V(Vds)
                            4850pF @25V(Vds)
                            4400pF @25V(Vds)
                          • 额定功率(Max)
                            170 W
                            300 W
                            45 W
                          • 下降时间
                            67 ns
                            80 ns
                            65 ns
                          • 工作温度(Max)
                            175 ℃
                            175 ℃
                            175 ℃
                          • 工作温度(Min)
                            -55 ℃
                            -55 ℃
                            -55 ℃
                          • 耗散功率(Max)
                            170000 mW
                            300W (Tc)
                            45W (Tc)
                          • 额定功率
                            170 W
                            -
                            -
                          • 输入电容
                            3450 pF
                            -
                            -
                          • 外形尺寸

                          • 长度
                            10.54 mm
                            10.4 mm
                            10.4 mm
                          • 宽度
                            4.69 mm
                            4.6 mm
                            4.6 mm
                          • 高度
                            8.77 mm
                            15.75 mm
                            9.3 mm
                          • 封装
                            TO-220-3
                            TO-220-3
                            TO-220-3
                          • 物理参数

                          • 工作温度
                            -55℃ ~ 175℃ (TJ)
                            -55℃ ~ 175℃ (TJ)
                            -55℃ ~ 175℃
                          • 材质
                            Silicon
                            -
                            -
                          • 其他

                          • 产品生命周期
                            Active
                            Active
                            Active
                          • 包装方式
                            Tube
                            Tube
                            Tube
                          • 符合标准

                          • RoHS标准
                            RoHS Compliant
                            RoHS Compliant
                            RoHS Compliant
                          • 含铅标准
                            Lead Free
                            Lead Free
                            Lead Free
                          • REACH SVHC标准
                            -
                            No SVHC
                            No SVHC
                          • REACH SVHC版本
                            2015/12/17
                            2015/12/17
                            2015/12/17
                          • 海关信息

                          • ECCN代码
                            -
                            -
                            EAR99
                          • 参考价格(
                            $ 0.797 全部价格 (15家)
                            $ 0.878 全部价格 (13家)
                            $ 1.589 全部价格 (13家)
                          • 总库存量(pcs)
                            927
                            1.1k
                            0
                          • 概述

                            IRF3205ZPBF 产品概述

                            电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon ### 电动机控制 MOSFET Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET 同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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                            STP80NF55L-06 产品概述

                            N 通道 STripFET? II,STMicroelectronics STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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                            STP80NF55-06FP 产品概述

                            N 通道 STripFET? II,STMicroelectronics STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

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                          • 更多代替型号
                            IRF3205ZPBF 更多代替型号
                            STP80NF55L-06 更多代替型号
                            STP80NF55-06FP 更多代替型号

                          IRF3205ZPBF 代替型号

                          器件图
                          型号
                          制造商
                          品名
                          代替类型
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                          IRF3205PBF
                          IRF3205PBF
                          英飞凌
                          MOS管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
                          IRF3205ZPBF和IRF3205PBF区别
                          IRFB3306PBF
                          IRFB3306PBF
                          英飞凌
                          MOS管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          INFINEON? IRFB3306PBF? 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 60 V, 4.2 mohm, 10 V, 4 V
                          IRF3205ZPBF和IRFB3306PBF区别
                          AUIRF3205Z
                          AUIRF3205Z
                          英飞凌
                          MOS管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          N 通道功率 MOSFET,Infineon Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
                          IRF3205ZPBF和AUIRF3205Z区别
                          AUIRF3205
                          AUIRF3205
                          英飞凌
                          MOS管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          INFINEON? AUIRF3205? 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
                          IRF3205ZPBF和AUIRF3205区别
                          IRF3205Z
                          IRF3205Z
                          英飞凌
                          MOS管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          TO-220AB N-CH 55V 110A
                          IRF3205ZPBF和IRF3205Z区别
                          STP80NF55-06
                          STP80NF55-06
                          意法半导体
                          MOS管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          STMICROELECTRONICS? STP80NF55-06? 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
                          IRF3205ZPBF和STP80NF55-06区别
                          STP80NF55L-06
                          STP80NF55L-06
                          意法半导体
                          MOS管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          STMICROELECTRONICS? STP80NF55L-06? 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
                          IRF3205ZPBF和STP80NF55L-06区别
                          STP80NF55-06FP
                          STP80NF55-06FP
                          意法半导体
                          MOS管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          STMICROELECTRONICS? STP80NF55-06FP? 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
                          IRF3205ZPBF和STP80NF55-06FP区别
                          IRF3205
                          IRF3205
                          英飞凌
                          MOS管
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          TO-220AB N-CH 55V 110A
                          IRF3205ZPBF和IRF3205区别
                          HUF75339P3
                          HUF75339P3
                          Harris
                          功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
                          Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
                          IRF3205ZPBF和HUF75339P3区别

                          IRF3205ZPBF和STP80NF55L-06,STP80NF55-06FP的区别:IRF3205ZPBF REEL N-Channel 55V 110A;STP80NF55L-06 TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ,STP80NF55-06FP TO-220FP N-Channel 60A。IRF3205ZPBF和STP80NF55L-06;STP80NF55-06FP哪个好:IRF3205ZPBF INFINEON? IRF3205ZPBF? 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V;STP80NF55L-06 STMICROELECTRONICS? STP80NF55L-06? 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V;STP80NF55-06FP STMICROELECTRONICS? STP80NF55-06FP? 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V。IRF3205ZPBF和STP80NF55L-06,STP80NF55-06FP对比:IRF3205ZPBF 封装:TO-220-3,引脚:3,额定功率:170 W,功耗:170 W,针脚数:3,输入电容:3450 pF,上升时间:95 ns,漏源极电阻:0.0065 Ω,极性:N-Channel,阈值电压:4 V,漏源极电压:55 V,漏源击穿电压:55 V,连续漏极电流:110A,材质:Silicon,工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),长度:10.54 mm,宽度:4.69 mm,高度:8.77 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,汽车级:Yes,工作温度:175 ℃,耗散功率:170000 mW,输入电容:3450pF @25V(Vds),晶体管极性:N Channel,下降时间:67 ns,工作温度:-55 ℃,reach svhc版本:2015/12/17,额定功率:170 W;STP80NF55L-06 封装:TO-220-3,引脚:3,功耗:300 W,针脚数:3,上升时间:180 ns,额定电压:55.0 V,漏源极电阻:0.008 Ω,极性:N-Channel,阈值电压:3 V,漏源极电压:55 V,额定电流:80.0 A,漏源击穿电压:55.0 V,栅源击穿电压:±16.0 V,连续漏极电流:80.0 A,工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),长度:10.4 mm,宽度:4.6 mm,高度:15.75 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工业级:Yes,工作温度:-55 ℃,reach svhc版本:2015/12/17,额定功率:300 W,汽车级:Yes,工作温度:175 ℃,耗散功率:300W (Tc),输入电容:4850pF @25V(Vds),晶体管极性:N Channel,下降时间:80 ns;STP80NF55-06FP 封装:TO-220-3,引脚:3,功耗:45 W,针脚数:3,上升时间:155 ns,漏源极电阻:0.005 Ω,极性:N-Channel,阈值电压:3 V,eccn代码:EAR99,漏源极电压:55 V,连续漏极电流:60.0 A,工作温度:-55℃ ~ 175℃,长度:10.4 mm,宽度:4.6 mm,高度:9.3 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,耗散功率:45W (Tc),输入电容:4400pF @25V(Vds),晶体管极性:N Channel,下降时间:65 ns,工作温度:-55 ℃,reach svhc版本:2015/12/17,额定功率:45 W,工业级:Yes,工作温度:175 ℃。

                          型号对应页索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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