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                          首页 > 分立器件 > 晶体管 > 双极性晶体管 > MMBT5551
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                          MMBT5551 中文资料规格参数

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                          额定电压(DC)
                          160 V
                          额定电流
                          600 mA
                          针脚数
                          3
                          极性
                          NPN
                          耗散功率
                          350 mW
                          击穿电压(集电极-发射极)
                          160 V
                          最小电流放大倍数(hFE)
                          80 @10mA, 5V
                          额定功率(Max)
                          350 mW
                          直流电流增益(hFE)
                          80
                          工作温度(Max)
                          150 ℃
                          工作温度(Min)
                          -55 ℃
                          耗散功率(Max)
                          350 mW
                          封装参数
                          安装方式
                          Surface Mount
                          引脚数
                          3
                          封装
                          SOT-23-3
                          外形尺寸
                          长度
                          2.92 mm
                          宽度
                          1.3 mm
                          高度
                          0.93 mm
                          封装
                          SOT-23-3
                          物理参数
                          工作温度
                          -55℃ ~ 150℃ (TJ)
                          其他
                          产品生命周期
                          Active
                          包装方式
                          Tape & Reel (TR)
                          制造应用
                          Power Management, Multimedia, Industrial, 电源管理, 多媒体, 工业
                          符合标准
                          RoHS标准
                          RoHS Compliant
                          含铅标准
                          Lead Free
                          REACH SVHC标准
                          No SVHC
                          产品概述

                          高电压晶体管 High Voltage Transistors

                          小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor


                          得捷:
                          TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23


                          欧时:
                          ON Semiconductor MMBT5551 , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 300 MHz, 3引脚 SOT-23封装


                          艾睿:
                          Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R


                          安富利:
                          Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R


                          富昌:
                          MMBT5551 Series 160 V CE Breakdown 0.6 A NPN General Purpose Amplifier - SOT-23


                          Chip1Stop:
                          Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R


                          Verical:
                          Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


                          Newark:
                          Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 80 hFE


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                          MMBT5551 数据手册

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                          MMBT5551 数据手册Datasheet PDF 16
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                          MMBT5551 代替型号 更多代替型号

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                          MMBT5551
                          MMBT5551
                          ON Semiconductor (安森美)
                          双极性晶体管
                          当前型号
                          高电压晶体管 High Voltage Transistors
                          当前型号
                          KST5551MTF
                          KST5551MTF
                          安森美
                          双极性晶体管
                          完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
                          ON Semiconductor KST5551MTF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
                          MMBT5551和KST5551MTF区别
                          MMBT5551LT1G
                          MMBT5551LT1G
                          安森美
                          双极性晶体管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          ON SEMICONDUCTOR? MMBT5551LT1G? 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE
                          MMBT5551和MMBT5551LT1G区别
                          MMBT5551LT3G
                          MMBT5551LT3G
                          安森美
                          双极性晶体管
                          类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
                          NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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                          MMBT5551品牌厂家:ON Semiconductor(安森美),MMBT5551渠道分销商:10家,现货库存数量:884606 PCS,MMBT5551价格参考:¥0.191元。ON Semiconductor(安森美) MMBT5551参数(SOT-23 NPN 160V 600mA 350mW,封装:SOT-23-3),MMBT5551中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载(5页,78KB),您可以在MMBT5551双极性晶体管规格书Datesheet数据手册中,查到MMBT5551引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法,MMBT5551典型电路教程。 MMBT5551可以用什么代替?代换型号如:KST5551MTF、MMBT5551LT1G替代换,MMBT5551系列中文手册中包含MMBT5551各引脚定义说明介绍及MMBT5551引脚功能图解,用户中文手册MMBT5551手册PDF下载(5页,78KB)。您可在采芯网下载MMBT5551产品选型手册,MMBT5551产品设计参考手册,MMBT5551用户编程技术手册,MMBT5551开发手册(1个文件)。

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